N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Ürün Açıklaması

SPP11N60C3XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 11A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3.9V @ 500µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1200 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 125W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO220-3-1 Paket / Kılıf TO-220-3