N-Channel 650 V 12A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Ürün Açıklaması

STF18N65M2 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 12A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 330mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 20 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 770 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 25W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220FP Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack