N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247

Ürün Açıklaması

TK14N65W,S1F - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-247-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 13.7A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6.9A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 130W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 3.5V @ 690µA Tedarikçi Paketleme TO-247 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 35 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1300 pF @ 300 V