N-Channel 650 V 15A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-8

Ürün Açıklaması

IGLT65R110D2ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IGLT65R110D2ATMA1 FET Tipi N-Channel Teknoloji GaNFET (Gallium Nitride) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 15A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi - Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Maks) @ Id 1.6V @ 1.3mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 2.4 nC @ 3 V Maksimum Gain Source Gerilimi -10V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 170 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 55W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PG-HDSOP-16-8 Paket / Kılıf 16-PowerSOP Module