N-Channel 650 V 168A (Tc) 681W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

Ürün Açıklaması

IMT65R010M2HXUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 168A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.6V @ 18.7mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 113 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4001 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 681W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PG-HSOF-8-2 Paket / Kılıf 8-PowerSFN