N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3

Ürün Açıklaması

FCP190N65S3R0 - ONSEMI - MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 17A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 1.7mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1350 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 144W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220-3 Paket / Kılıf TO-220-3