N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Ürün Açıklaması

IXFH22N65X2 - IXYS - MOSFET N-CH 650V 22A TO247 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 22A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 160mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.5V @ 1.5mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2310 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 390W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247 (IXTH) Paket / Kılıf TO-247-3