N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Ürün Açıklaması

IPW65R095C7XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 650V 24A TO247 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 24A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 590µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2140 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 128W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-3-1 Paket / Kılıf TO-247-3