N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Ürün Açıklaması

FCB125N65S3 - ONSEMI - MOSFET N-CH 650V 24A TO263 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 24A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 590µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1940 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 181W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (D2PAK) Paket / Kılıf TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB