N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

Ürün Açıklaması

SIHB24N65EFT1-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 650V Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 24A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 156mOhm @ 12A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 250W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-263 (D²Pak) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 122 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2774 pF @ 100 V