N-Channel 650 V 27A Surface Mount 16-DFN (8x8)

Ürün Açıklaması

CGD65A055SH2 - CAMBRIDGE GAN DEVICES - 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W FET Tipi N-Channel Teknoloji GaNFET (Gallium Nitride) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 27A Maksimum Sürüş Gerilimi 12V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 77mOhm @ 2.2A, 12V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.2V @ 10mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 4 nC @ 12 V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -1V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) - Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 16-DFN (8x8) Paket / Kılıf 16-PowerVDFN