N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Ürün Açıklaması

UF3C065080B7S - ONSEMI - SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Cascode SiCJFET) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 27A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 105mOhm @ 20A, 12V Vgs(th) (Maks) @ Id 6V @ 10mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 23 nC @ 12 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 760 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 136.4W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme D2PAK-7 Paket / Kılıf TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA