N-Channel 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount TOLT

Ürün Açıklaması

TP65H070G4RS-TR - TRANSPHORM - 650 V 29 A GAN FET Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 16-PowerSOP Module Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji GaNFET (Gallium Nitride) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 29A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 85mOhm @ 18A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 96W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4.8V @ 700µA Tedarikçi Paketleme TOLT Derece - Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 9 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 638 pF @ 400 V Kalifikasyon -