N-Channel 650 V 32.8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-40

Ürün Açıklaması

IMW65R060M2HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IMW65R060M2HXKSA1 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 32.8A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 55mOhm @ 15.4A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.6V @ 3.1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 19 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 669 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 130W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-3-40 Paket / Kılıf TO-247-3