N-Channel 650 V 38A (Tc) 148W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Ürün Açıklaması

NTH4L075N065SC1 - ONSEMI - SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-247-4 Montaj Tipi Through Hole Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 38A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 85mOhm @ 15A, 18V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 148W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4.3V @ 5mA Tedarikçi Paketleme TO-247-4L Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Gain Source Gerilimi +22V, -8V Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 61 nC @ 18 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1196 pF @ 325 V