N-Channel 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Ürün Açıklaması

IMW65R048M1HXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET 650V NCH SIC TRENCH FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 39A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 64mOhm @ 20.1A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.7V @ 6mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 33 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -5V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1118 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 125W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-3-41 Paket / Kılıf TO-247-3