N-Channel 650 V 41A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

Ürün Açıklaması

IMBG65R050M2HXTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 41A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 62mOhm @ 18.2A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.6V @ 3.7mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 22 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 790 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 172W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PG-TO263-7-12 Paket / Kılıf TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA