N-Channel 650 V 47A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3

Ürün Açıklaması

NTHL060N065SC1 - ONSEMI - SIC MOS TO247-3L 650V FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 47A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.3V @ 6.5mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 74 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +22V, -8V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1473 pF @ 325 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 176W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-3 Paket / Kılıf TO-247-3