N-Channel 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3

Ürün Açıklaması

TP65H030G4PWS - RENESAS ELECTRONICS CORPORATION - GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 55.7A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 12V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 12V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.8V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 24.5 nC @ 12 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1500 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 192W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-3 Paket / Kılıf TO-247-3