N-Channel 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Surface Mount H2PAK-7

Ürün Açıklaması

SCT018H65G3-7 - STMICROELECTRONICS - SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 55A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 18V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 27mOhm @ 30A, 18V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.2V @ 5mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 79.4 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +18V, -5V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2124 pF @ 400 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 385W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme H2PAK-7 Paket / Kılıf TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA