N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Ürün Açıklaması

IXFH80N65X2-4 - IXYS - MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 80A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 38mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 4mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 140 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 8300 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 890W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247-4L Paket / Kılıf TO-247-4