N-Channel 650V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247

Ürün Açıklaması

IXTH48N65X2 - IXYS - MOSFET N-CH 650V 48A TO-247 Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 650V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 48A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 68mOhm @ 24A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 4mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 77nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4420pF @ 25V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 660W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247 Paket / Kılıf TO-247-3