N-Channel 70V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SIS176LDN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Paketleme Digi-Reel® Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 70V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 3.3V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 10A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.6V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V Maksimum Gain Source Gerilimi ±12V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1660pF @ 35V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.6W (Ta), 39W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8