N-Channel 75V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SI7812DN-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 75V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 16A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.2A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 840pF @ 35V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.8W (Ta), 52W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8