N-Channel 80 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220

Ürün Açıklaması

TK100E08N1,S1X - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi N-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 100A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 255W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 1mA Tedarikçi Paketleme TO-220 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 80 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 130 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 9000 pF @ 40 V