N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220

Ürün Açıklaması

STP110N8F6 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 80V 110A TO220 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 80 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 110A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 150 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 9130 pF @ 40 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 200W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220 Paket / Kılıf TO-220-3