N-Channel 80 V 89A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Ürün Açıklaması

BUK7Y9R9-80EX - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 80 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 89A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 51.6 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4266 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 195W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece Automotive Kalifikasyon AEC-Q101 Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme LFPAK56, Power-SO8 Paket / Kılıf SC-100, SOT-669