N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Ürün Açıklaması

SPW11N80C3FKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 11A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3.9V @ 680µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 85 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1600 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 156W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO247-3-1 Paket / Kılıf TO-247-3