N-Channel 800 V 12A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Ürün Açıklaması

STB13N80K5 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 12A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 450mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 100µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 870 pF @ 100 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 190W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-263 (D2PAK) Paket / Kılıf TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB