N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Ürün Açıklaması

SPP17N80C3XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 17A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3.9V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 177 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2320 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 208W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme PG-TO220-3-1 Paket / Kılıf TO-220-3