N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB

Ürün Açıklaması

SIHP24N80AE-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 21A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 184mOhm @ 10A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 208W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-220AB Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Drain Source Gerilimi (Vdss) 800 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 89 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1836 pF @ 100 V