N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Ürün Açıklaması

SPP04N80C3XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi N-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 4A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 63W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 3.9V @ 240µA Tedarikçi Paketleme PG-TO220-3 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 800 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 570 pF @ 100 V