N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC

Ürün Açıklaması

IRFPE50PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 7.8A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 200 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3100 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 190W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247AC Paket / Kılıf TO-247-3