N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Ürün Açıklaması

APT11N80BC3G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 11A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3.9V @ 680µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1585pF @ 25V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 156W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-247 [B] Paket / Kılıf TO-247-3