N-Channel 800V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Ürün Açıklaması

SIHA11N80E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP Paketleme Tube Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 88nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1670pF @ 100V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 34W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220 Full Pack Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack