N-Channel 800V 8A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Ürün Açıklaması

SIHP11N80AE-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET E SERIES TO-220AB Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 800V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 804pF @ 100V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 78W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220AB Paket / Kılıf TO-220-3