N-Channel 80V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SIR826ADP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 80V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 60A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.8V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 86nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2800pF @ 40V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 6.25W (Ta), 104W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8