N-Channel 840 V 103A (Tc) 394W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22

Ürün Açıklaması

AIMDQ75R016M2HXTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - AIMDQ75R016M2HXTMA1 FET Tipi N-Channel Teknoloji SiCFET (Silicon Carbide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 840 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 103A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 15V, 20V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 14mOhm @ 55.8A, 20V Vgs(th) (Maks) @ Id 5.6V @ 12.3mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 74 nC @ 18 V Maksimum Gain Source Gerilimi +23V, -7V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 2577 pF @ 500 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 394W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Derece Automotive Kalifikasyon AEC-Q101 Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme PG-HDSOP-22 Paket / Kılıf 22-PowerBSOP Module