N-Channel 90 V 350mA (Tj) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Ürün Açıklaması

2N6661 - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 90 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 350mA (Tj) Maksimum Sürüş Gerilimi 5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2V @ 1mA Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 50 pF @ 24 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 6.25W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-39 Paket / Kılıf TO-205AD, TO-39-3 Metal Can