N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Ürün Açıklaması

FQD2N90TM - ONSEMI - MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 900 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 1.7A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 7.2Ohm @ 850mA, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 15 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 500 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme TO-252AA Paket / Kılıf TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63