N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Ürün Açıklaması

IRFBF20PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB FET Tipi N-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 900 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 1.7A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 490 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 54W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220AB Paket / Kılıf TO-220-3