N-Channel, Depletion Mode 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Ürün Açıklaması

LND150N3-G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 FET Tipi N-Channel, Depletion Mode Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 30mA (Tj) Maksimum Sürüş Gerilimi 0V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs(th) (Maks) @ Id - Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 10 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 740mW (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-92-3 Paket / Kılıf TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)