P-Channel 20 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SIS407ADN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi P-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 18A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 4.5V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 1.8V, 4.5V Maksimum Gain Source Gerilimi ±8V Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 168 nC @ 8 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 5875 pF @ 10 V