P-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Ürün Açıklaması

NDS332P - ONSEMI - MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 1A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.7V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.1A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±8V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 195 pF @ 10 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 500mW (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3