P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)

Ürün Açıklaması

NTLJF3117PT1G - ONSEMI - MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2.3A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 1.8V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±8V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 531 pF @ 10 V FET Özelliği Schottky Diode (Isolated) Güç Tüketimi (Maks.) 710mW (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 6-WDFN (2x2) Paket / Kılıf 6-WDFN Exposed Pad