P-Channel 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Ürün Açıklaması

RQ3C150BCTB - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 30A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.2V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±8V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4800 pF @ 10 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 20W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-HSMT (3.2x3) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN