P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SI2301CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi P-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 3.1A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 1V @ 250µA Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 4.5V Maksimum Gain Source Gerilimi ±8V Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 405 pF @ 10 V