P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Ürün Açıklaması

TPN4R712MD,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 36A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 18A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.2V @ 1mA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 65 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±12V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4300 pF @ 10 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 42W (Tc) Çalışma Sıcaklığı 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-TSON Advance (3.1x3.1) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN