P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SI2399DS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 20 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 6A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.1A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±12V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 835 pF @ 10 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3