P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB

Ürün Açıklaması

IRF9610PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 1.8A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 3Ohm @ 900mA, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 11 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 170 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 20W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220AB Paket / Kılıf TO-220-3